Особенности ремонта транзисторов в радиоаппаратуре

При разработке, создании и эксплуатации радиоаппаратуры следует принимать во внимание ее специфические параметры. Высокая надежность радиотехники может быть обеспечена только при учете таких факторов, как разброс параметров транзисторов, их температурная нестабильность и зависимость характеристик от режима работы, а также изменение параметров транзисторов в процессе эксплуатации.

Транзисторы сохраняют свои параметры в установленных пределах в условиях работы и хранения, характерных для различных видов и классов аппаратуры. Условия эксплуатации аппаратуры могут изменяться в широких пределах. Данные условия характеризуются внешними центробежными нагрузками и климатическими воздействиями (температурными и др.).

Общие условия, справедливые для всех биполярных транзисторов, предназначенных для использования в аппаратуре определенного класса, есть в общих технических условиях. Нормы на значения электрических характеристик и специфические требования, относящиеся к конкретному виду транзистора, находятся в частных технических условиях.

Для удобства конструирования и ремонта основные характеристики транзисторов и их схемы приведены в справочнике. К преимуществам Интернет справочника надо отнести его общедоступность, пополняемость, быстрый поиск искомого транзистора по маркировке и аналогу.

Под воздействием различных факторов окружающей среды некоторые параметры транзисторов и свойства могут меняться. Для герметичной защиты транзисторных структур от внешних факторов служат корпуса приборов. Конструктивное оформление биполярных транзисторов рассчитано на их применение в составе аппаратуры при любых допустимых условиях применения. Необходимо помнить, что корпуса транзисторов, в конечном счете, имеют ограничение по герметичности. Поэтому при использовании электронных приборов в аппаратуре, предназначенной для эксплуатации в условиях повышенной влажности, платы с расположенными на них транзисторами следует покрывать лаком не менее чем в три слоя.

Все большее распространение находят так называемые бескорпусные транзисторы, разработанные для использования в микросхемах и микросборках. Кристаллы таких транзисторов защищены специальным покрытием, но оно не дает хорошей защиты от воздействия окружающей среды. Защита увеличивается общей герметизацией всей микросхемы.

Чтобы обеспечить долголетнюю и безотказную работу сотовой аппаратуры, конструктор обязан не только учесть характерные особенности транзисторов на этапе разработки аппаратуры, но и обеспечить должные условия ее эксплуатации и хранения.

Транзисторы – трехполюсники универсального назначения. Они могут быть успешно использованы не только в классе устройств, для которых они разработаны, но и во многих других устройствах. Однако набор параметров и характеристик, находящихся в электронном справочнике, соответствует основному назначению транзистора. В справочнике даны значения параметров транзисторов, гарантируемые ТУ для соответствующих оптимальных или предельных режимов эксплуатации. Рабочий режим транзистора в разрабатываемом устройстве часто отличается от того режима, для которого приведены параметры в ТУ.

Значения большинства параметров транзисторов зависят от реального режима и температуры, причем с увеличением температуры значения параметров от режима сказывается более сильно. В справочнике приведены, как правило, типовые (усредненные) зависимости характеристик транзисторов от тока, напряжения, температуры, частоты и т. п. Эти зависимости обязаны использоваться при установке типа транзистора и ориентировочных расчетах, так как данные характеристик транзисторов одного типа не одинаковы, а находятся в некотором интервале. Данный диапазон ограничивается минимальным или максимальным значением, указанным в справочнике. Некоторые характеристики имеют двустороннее ограничение.

При настройке радиоэлектронной аппаратуры необходимо стремиться обеспечить их работоспособность в возможно более широких интервалах изменений важнейших параметров транзисторов. Разброс характеристик транзисторов и их изменение во времени при конструировании могут быть учтены расчетными методами или экспериментально — способом граничных испытаний.

Полевые транзисторы с управляющим р-n переходом функционируют в режиме обеднения канала носителями заряда (независимо от типа его проводимости) при преобразовании потенциала затвор – исток от нулевого значения до напряжения отсечки тока стока.

В отличие от транзисторов с управляющим р-n переходом, у которых рабочая область составляет от Uзи = 0 до потенциала запирания, МДП-транзисторы имеют высокое входное сопротивление при различных значениях потенциала на затворе, которое ограничено напряжением пробоя изолятора затвора.